Бутаева, Фатима Асланбековна

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с фамилией Бутаева.
Фатима Бутаева
осет. Бутаты Асланбеджы чызг Фатимае
Дата рождения 1 декабря 1907(1907-12-01)
Место рождения
Дата смерти 19 июня 1992(1992-06-19) (84 года)
Место смерти
Страна
Научная сфера Физика
Место работы МЭИ, ВЭИ, ВНИСИ
Альма-матер 2-й Московский государственный университет
Учёная степень кандидат технических наук (1946)
Научный руководитель В. А. Фабрикант
Известна как Соавтор открытия
Награды и премии
Орден «Знак Почёта» Медаль «За трудовую доблесть»
Сталинская премия 2-й степени — 1951

Фати́ма Асланбе́ковна Бута́ева (осет. Бутаты Асланбеджы чызг Фатимае 1 декабря 1907, Алагир, Терская область, Российская Империя — 19 июня 1992, Москва) — советский физик, педагог. Лауреат Сталинской премии второй степени (1951).

Биография[править | править код]

Родилась в семье известного адвоката и журналиста Асланбека Саввича Бутаева[1]. Дядя - Казбек Саввич Бутаев. Её мама умерла, когда Фатиме было семь лет.

В 1925 году поступила в Горский педагогический институт, в 1926 перевелась на физико-математическое отделение педагогического факультета Второго Московского государственного университета. В 1932 г. окончила университет и стала работать преподавателем математики в Куйбышеве. В том же году вернулась в Москву, где в течение двух лет работала преподавателем теоретической механики в техникуме Учебного комбината Метростроя. Затем, в 1934 г., перешла на работу во Всесоюзный электротехнический институт (ВЭИ) в лабораторию источников света, возглавлявшуюся в то время В. А. Фабрикантом. Начав работу в ВЭИ в качестве инженера, впоследствии, после назначения В. А. Фабриканта на должность заведующего кафедрой, стала руководить лабораторией[1][2].

В 1937 году были репрессированы её отец[3] и родной дядя К. С. Бутаев[4] (реабилитированы в 1956 году), в связи с чем, в течение года находилась под угрозой увольнения из института, но в итоге уволена не была.

В годы войны находилась в эвакуации в Свердловске.

В 1943 г. возобновила работу по изучению люминесценции. В 1946 г. по результатам выполненных ею работ в области газового разряда и люминесценции защитила диссертацию на соискание учёной степени кандидата технических наук[1].

После организации в 1951 г. на базе ВЭИ нового Всесоюзного научно-исследовательского светотехнического института (ВНИСИ)[5] стала работать в нём. Более двадцати пяти лет руководила в этом институте лабораторией люминесцентных ламп.

Под её руководством были подготовлены и успешно защищены многие диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук.

Являлась членом Учёного совета и членом Научно-технического совета ВНИСИ, работала в составе комиссии по ламповым люминофорам Совета по люминесценции АН СССР.

Скончалась 19 июня 1992 г. Похоронена на Котляковском кладбище в Москве[6].

Научная деятельность[править | править код]

Внешние изображения
Ф. А. Бутаева — портрет
Пропуск военного времени
Справка о принятии на рассмотрение заявки на изобретение

Занималась исследованиями физики газового разряда и изучением спектрального состава и интенсивности излучения ионизированных газов в широком интервале изменения токов и давлений. Совместно с В. А. Фабрикантом разработала и применила оригинальный метод исследования диффузии фотонов в плазме, основанный на применении люминесцирующих зондов. В течение ряда лет вела работу по исследованию люминесценции различных люминофоров в оптической области спектра. Практическим результатом этих работ явилась разработка и начало выпуска первых в СССР люминесцентных ламп. В 1951 году за разработку ламп этого типа Ф. А. Бутаева совместно с С. И. Вавиловым, В. Л. Левшиным, М. А. Константиновой-Шлезингер, В. А. Фабрикантом и В. И. Долгополовым была удостоена звания лауреата Сталинской премии второй степени[1][2].

Совместно с В. А. Фабрикантом и М. М. Вудынским выполнила пионерские исследования по отрицательной абсорбции света. Было установлено, что при распространении света в среде с инверсной заселенностью происходит экспоненциальное возрастание его интенсивности. Было также доказано, что для увеличения усиления необходимо многократное прохождение электромагнитной волны в среде с отрицательным коэффициентом поглощения, предложено три метода приведения сред в неравновесное состояние[7], рекомендовано три способа получения активных сред. Подчеркнута направленность распространения усиленной волны и отмечено, что квантовый способ усиления электромагнитных волн пригоден для волн, принадлежащих различным участкам спектра, включая инфракрасный, видимый и ультрафиолетовый диапазоны. На основе полученных результатов авторами был сформулирован новый принцип усиления света, позже положенный в основу действия лазеров[2][8].

В 1951 г. В. А. Фабрикант, Ф. А. Бутаева и М. М. Вудынский оформили заявку на научное открытие и две заявки на изобретения «Способ усиления электромагнитных волн» и «Использование многократных прохождений усиливаемой электромагнитной волны в неравновесных средах». В первой из заявок на изобретение было сформулировано[9]:

Метод усиления электромагнитного излучения, отличающийся тем, что усиливаемое излучение пропускается через среду, в которой с помощью вспомогательного излучения или другими способами создается избыточная по сравнению с равновесной концентрация атомов, других частиц или систем, находящихся на верхних, возбужденных уровнях.

Такая формулировка является точным описанием способа усиления света, используемого во всех лазерах.

Упомянутые работы по квантовому способу усиления света во многом опередили своё время и не получили своевременной адекватной оценки. Так, положительное решение по заявке на способ усиления света (Авторское свидетельство № 123 209 с приоритетом от 18 июня 1951 г.) было принято лишь в 1959 г., то есть через восемь лет после её оформления.

В итоге, хотя и со значительной задержкой во времени, научная новизна работ и их революционный характер получили полное признание. В 1964 году Ф. А. Бутаевой, В. А. Фабриканту и М. М. Вудынскому был выдан диплом о научном открытии «Явление усиления электромагнитных волн (когерентное излучение)» № 12 с приоритетом от 18 июня 1951 г, а само открытие было внесено в Государственный реестр научных открытий СССР[8]. Тем самым, было официально признано, что указанные работы «внесли коренные изменения в уровень познания»[10].

Изобретения[править | править код]

  • «Газоразрядная лампа низкого давления»
  • «Люминесцентная лампа низкого давления» и другие.

Награды[править | править код]

Основные работы[править | править код]

  • Бутаева Ф. А., Фабрикант В. А. О резонансном излучении разряда в смеси ртути и аргона // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1945, т. IX, № 3.
  • Бутаева Ф. А., Фабрикант В. А. Влияние параметров разряда на интенсивность линий 1850 и 2537 Å в люминесцентных лампах // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1949, т. XIII, № 2.
  • Бутаева Ф. А., Фабрикант В. А. Исследования при помощи люминесцирующих зондов в области 500—1200 Å// Журнал технической физики, 1956, т. 26.
  • Бутаева Ф. А., Фабрикант В. А. Чувствительность люминофоров для люминесцентных ламп в коротковолновом ультрафиолетовом излучении // Известия АН СССР. Сер. физическая, 1957, т. 21, № 4.
  • Фабрикант В. А., Бутаева Ф. А. Оптика среды с отрицательным коэффициентом поглощения // Сб. «Экспериментальные и теоретические исследования по физике». — АН СССР, 1959.

Литература[править | править код]

  • Бутаев К. С. Избранное. — Владикавказ: Иристон, 2003.
  • Дунская И. М. Возникновение квантовой электроники. — М.: Наука, 1974.
  • Сахаров А. Д. Воспоминания // Знамя, 1991, ч. 1, гл. 5.

Примечания[править | править код]

  1. ↑ 1 2 3 4 Фатима Асланбековна Бутаева, к 100-летию со дня рождения // Вестник Владикавказского научного центра. — Владикавказ, 2007. — Т. 7, № 4. — С. 66-67. (недоступная ссылка)
  2. ↑ 1 2 3 Бутаев Б., Морозов В. У истоков создания лазера // Наука и жизнь. — М., 2007. — № 12. Архивировано 22 апреля 2015 года.
  3. ↑ Асланбек Саввич Бутаев Архивная копия от 31 января 2011 на Wayback Machine — Из Книги памяти Республики Северная Осетия-Алания
  4. ↑ Казбек Саввич Бутаев Архивная копия от 6 октября 2012 на Wayback Machine — на сайте «Хронос»
  5. ↑ Ныне Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский светотехнический институт (ВНИСИ) им. С. И. Вавилова Архивная копия от 10 января 2013 на Wayback Machine
  6. ↑ Изобретатель дневного света сама была как луч света Архивная копия от 5 марта 2016 на Wayback Machine — На сайте информационно-аналитического издания «Осетинское радио и телевидение»
  7. ↑ Биберман Л. М., Векленко Б. А., Гинзбург В. Л. и др. Памяти Валентина Александровича Фабриканта // УФН. — 1991. — Т. 161, № 6. — С. 215-218. Архивировано 9 сентября 2013 года.
  8. ↑ 1 2 Научное открытие «Явление усиления электромагнитных волн (когерентное излучение)» Архивная копия от 21 марта 2012 на Wayback Machine на сайте «Научные открытия России»
  9. ↑ Шмаонов Т. Золотой юбилей квантовой эры // Наука и жизнь. — М., 2005. — № 11. Архивировано 4 марта 2016 года.
  10. ↑ Из определения термина «научное открытие», зафиксированного в «Положении об открытиях, изобретениях и рационализаторских предложениях», утверждённом Постановлением Совета Министров СССР № 584 от 21 августа 1973 г.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Бутаева,_Фатима_Асланбековна&oldid=128745924