LPDDR

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Микросхема LPDDR2 Samsung K4P4G154EC-FGC1 на 4 Гбит

LPDDR — тип оперативной памяти для смартфонов и планшетов. Известен также под названиями mDDR, Low Power DDR.

Поддерживаются устройства со стандартом JEDEC 209[1].

LPDDR[править | править код]

Оригинальная LPDDR (LPDDR1) — модификация памяти DDR SDRAM c некоторыми изменениями для снижения энергопотребления.

Важнейшее изменение — снижение напряжения питания с 2,5 до 1,8 В. Дополнительная экономия осуществляется за счет увеличения времени обновления при низкой температуре (DRAM реже обновляется при низких температурах), частичный блок самообновления и режим «Глубокий сон» (deep power down), который стирает из памяти абсолютно все. Плюс ко всему, чипы очень маленького размера и, соответственно, занимают меньше места на плате, чем их компьютерные аналоги. Samsung и Micron являются ведущими производителями и поставщиками этого типа памяти и используется на таких планшетах, как Apple iPad, Samsung Galaxy Tab и в телефоне Motorola Droid X.

LPDDR2[править | править код]

Новый стандарт JEDEC JESD209-2E переработан для низкопотребляющих интерфейсов DDR. Он не совместим с DDR и DDR2 SDRAM, но может размещаться в следующих интерфейсах:

  • LPDDR2-S2: 2n память с предвыборкой (DDR1);
  • LPDDR2-S4: 4n память с предвыборкой (DDR2);
  • LPDDR2-N: Энергонезависимая (NAND flash) память.

Памяти с низким энергопотреблением похожи на стандартную LPDDR, но с некоторыми изменениями в блоке перезарядки.

Тайминги задаются для LPDDR-200 LPDDR-1066 (тактовая частота от 100 до 533 МГц).

Работая с 1,2 В, LPDDR2 мультиплексирует контроль по адресной линии 10-битной двухтактовой шины передачи данных CA. Команды аналогичны компьютерным модулям SDRAM, за исключением перераспределения предварительной зарядки, и коды операции предотвращения возгораний.

LPDDR3[править | править код]

В мае 2012[2] JEDEC опубликовал стандарт JESD209-3 (LPDDR3)[3]. По сравнению с LPDDR2, в LPDDR3 предлагается более высокая скорость обмена данными, увеличенная энергоэффективность и большая плотность памяти. Память LPDDR3 может работать на скоростях до 1600 MT/s (миллионов передач в секунду) и использует такие новые технологии, такие, как: write-leveling, command/address training[4], опциональное внутрисхемное терминирование (optional on-die termination, ODT), а также имеет низкую ёмкость контактов ввода-вывода. LPDDR3 допускает как микросборки package-on-package (PoP), так и использование отдельных микросхем памяти.

Кодирование команд идентично LPDDR2, они передаются по 10-битной шине CA с удвоением частоты следования данных (double data rate)[3]. Однако стандарт включает в себя описание только DRAM типа 8n-prefetch, и не описывает команды управления для флеш-памяти.

Samsung предполагал, что LPDDR3 дебютирует в 2013 году с частотами 800 МГц (1600 MT/s), предоставляя пропускную способность, сравнимую (без учёта многоканальности) с ноутбучной памятью PC3-12800 SO-DIMM 2011 года (12,8 ГБ/с)[5]. Массовый выпуск 3-гигабайтной LPDDR3 компанией Samsung Electronics был объявлен 24 июля 2013 года[6].

LPDDR3 обеспечивает скорость передачи данных 1600 MT/s (по сравнению с 1066 MT/s для LPDDR2).

Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне Samsung Galaxy S4[7].

LPDDR4[править | править код]

Модули памяти LPDDR4 отличаются увеличенной скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением LPDDR3. Напряжение снижено с 1,2 В до 1,1 В.

Разрабатывается с марта 2012 года в JEDEC[8]. В конце 2013 года Samsung сообщила о выпуске 20 нм класса (техпроцесс от 20 до 29 нм) чипа на 8 гигабит (1 Гб) в стандарте LPDDR4 с ПСП 3200 MT/s, что на 50 % выше LPDDR3, а также на 40 % менее энергопотребляющей при напряжении 1,1 вольта[9].

25 августа 2014 года JEDEC выпустила стандарт JESD209-4 (LPDDR4)[10].

LPDDR4 запускается со скоростью ввода-вывода 3200 MT/s и целевой скоростью 4266 MT/s по сравнению с 2133 MT/s для LPDDR3.

Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне Samsung Galaxy S6 и плеере iPod touch (7 поколения).

LPDDR4x[править | править код]

В LPDDR4X напряжение питания ввода-вывода (VDDQ) снижено с 1,1 В до 0,6 В. Это снижение напряжения на 40 % приводит к гораздо меньшему потреблению энергии при отправке и получении данных с устройства памяти, что особенно полезно для смартфонов и других устройств. JEDEC опубликовал стандарт LPDDR4X 8 марта 2017 года[11].

LPDDR5[править | править код]

19 февраля 2019 года JEDEC опубликовал стандарт JESD209-5 (LPDDR5). Для LPDDR5 заявлена скорость передачи данных 6400 MT/s по сравнению с 3200 MT/s для LPDDR4 (на момент публикации в 2014 году)[12].

18 июля 2019 года компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли мобильной DRAM LPDDR5 объемом 12 гигабит (Гб) со скоростью передачи данных 5500 MT/s[13].

LPDDR5x[править | править код]

28 июля 2021 года JEDEC опубликовал стандарт JESD209-5B, который включает как обновление стандарта LPDDR5, направленное на повышение производительности, мощности и гибкости, так и новый стандарт LPDDR5X, который является дополнительным расширением LPDDR5[14].

9 ноября 2021 года компания Samsung Electronics объявила о разработке первой в отрасли 16-гигабитной (Гб) 14-нанометровой (нм) памяти LPDDR5X со скоростью передачи данных 8533 MT/s[15].

3 марта 2022 года компания Samsung Electronics объявила о том, что её новейшая оперативная память LPDDR5X прошла проверку Qualcomm Technologies и может использоваться с платформами Snapdragon[16].

24 октября 2023 компания Micron Technology объявила о поставке памяти LPDDR5X на техпроцессе 1β (1-бета) микросхемами объёмом до 16 Гбайт со скоростью передачи данных 9600 MT/s. Заявлена оптимизация под устройства с мобильной платформой Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3.[17][18]

LPDDR5T[править | править код]

25 января 2023 года компания SK hynix объявила о разработке мобильной DRAM-памяти LPDDR5T со скоростью передачи данных 9600 MT/s[19][20].

MediaTek протестировала оперативную память LPDDR5T от SK Hynix[21][22].

LPDDR5T от SK hynix, прошла проверку совместимости с Qualcomm[23].[18]

Примечания[править | править код]

  1. ↑ LPDDR-Texas Instruments wiki. Дата обращения: 16 июня 2012. Архивировано из оригинала 5 марта 2012 года.
  2. ↑ JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips Архивная копия от 20 мая 2012 на Wayback Machine, Solid State Technology magazine
  3. ↑ 1 2 JESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard, JEDEC Solid State Technology Association
  4. ↑ Want a quick and dirty overview of the new JEDEC LPDDR3 spec? EETimes serves it up Архивировано 28 июля 2013 года., Denali Memory Report
  5. ↑ Samsung LPDDR3 High-Performance Memory Enables Amazing Mobile Devices in 2013, 2014 Архивная копия от 2 июля 2012 на Wayback Machine — Bright Side of News
  6. ↑ Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones. Дата обращения: 28 ноября 2021. Архивировано 28 ноября 2021 года.
  7. ↑ Смартфон Samsung Galaxy S IV представлен официально — iXBT Архивировано 23 октября 2017 года.
  8. ↑ JEDEC Conference to Highlight Mobile Technology. Дата обращения: 18 сентября 2014. Архивировано 21 августа 2014 года.
  9. ↑ Samsung Develops Industry’s First 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM. Дата обращения: 18 сентября 2014. Архивировано 1 октября 2014 года.
  10. ↑ JEDEC Releases LPDDR4 Standard for Low Power Memory Devices Архивная копия от 30 сентября 2014 на Wayback Machine, JEDEC Solid State Technology Association
  11. ↑ JEDEC Updates Standards for Low Power Memory Devices | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 20 января 2021. Архивировано 29 января 2021 года.
  12. ↑ JEDEC Updates Standard for Low Power Memory Devices: LPDDR5 | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 20 января 2021. Архивировано 24 января 2021 года.
  13. ↑ Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones (англ.). news.samsung.com. Дата обращения: 11 ноября 2021. Архивировано 4 ноября 2021 года.
  14. ↑ JEDEC Publishes New and Updated Standards for Low Power Memory Devices Used in 5G and AI Applications | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 11 ноября 2021. Архивировано 10 ноября 2021 года.
  15. ↑ Samsung Develops Industry’s First LPDDR5X DRAM (англ.). news.samsung.com. Дата обращения: 11 ноября 2021. Архивировано 10 ноября 2021 года.
  16. ↑ Samsung's LPDDR5X DRAM Validated for Use with Qualcomm Technologies’ Snapdragon Mobile Platforms (англ.). Samsung Semiconductor Global. Дата обращения: 28 октября 2022.
  17. ↑ Micron Collaborates with Qualcomm to Accelerate Generative AI at the Edge for Flagship Smartphones (англ.). micron.com (24 октября 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
  18. ↑ 1 2 Для смартфонов на Snapdragon 8 Gen 3 компании Micron и SK hynix выпустили чипы LPDDR5-9600. 3DNews - Daily Digital Digest. Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 26 октября 2023 года.
  19. ↑ T — значит Turbo. Представлена самая быстрая в мире мобильная память DRAM LPDDR5T. iXBT.com. Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
  20. ↑ user SK hynix Develops World’s Fastest Mobile DRAM LPDDR5T (амер. англ.) (24 января 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 26 октября 2023 года.
  21. ↑ Антон Курилов. MediaTek протестировала оперативную память LPDDR5T от SK Hynix — она на 13% быстрее LPDDR5X. rozetked.me (13 августа 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
  22. ↑ user LPDDR5T's Operating Speed Verified By MediaTek's Mobile APs (амер. англ.) (10 августа 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
  23. ↑ user LPDDR5T Completes Compatibility Validation With Qualcomm (амер. англ.) (25 октября 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=LPDDR&oldid=135984728